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品类: MOS管描述: Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R340C3FKSA1, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装176710-99￥8.7360100-499￥8.2992500-999￥8.00801000-1999￥7.99342000-4999￥7.93525000-7499￥7.86247500-9999￥7.8042≥10000￥7.7750 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3Pin(3+Tab) TO-247AC76971-9￥139.437510-49￥135.800050-99￥133.0113100-199￥132.0413200-499￥131.3138500-999￥130.34381000-1999￥129.7375≥2000￥129.1313 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STW56N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 50 A, 600 V, 0.052 ohm, 10 V, 4 V 新62631-9￥70.518010-99￥67.4520100-249￥66.9001250-499￥66.4709500-999￥65.79641000-2499￥65.48982500-4999￥65.0605≥5000￥64.6926 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3Pin TO-247AC24015-49￥17.011850-199￥16.2848200-499￥15.8777500-999￥15.77591000-2499￥15.67412500-4999￥15.55785000-7499￥15.4851≥7500￥15.4124 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，On Semiconductor ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。43471-9￥55.180610-99￥52.0145100-249￥49.6625250-499￥49.3007500-999￥48.93891000-2499￥48.53182500-4999￥48.1700≥5000￥47.9438 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB30N120IHRWG 单晶体管, IGBT, 60 A, 2.2 V, 384 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚480510-99￥8.7360100-499￥8.2992500-999￥8.00801000-1999￥7.99342000-4999￥7.93525000-7499￥7.86247500-9999￥7.8042≥10000￥7.7750 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 300000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube747510-99￥7.3320100-499￥6.9654500-999￥6.72101000-1999￥6.70882000-4999￥6.65995000-7499￥6.59887500-9999￥6.5499≥10000￥6.5255 -
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品类: MOS管描述: UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。88701-9￥91.747010-99￥87.7580100-249￥87.0400250-499￥86.4815500-999￥85.60391000-2499￥85.20502500-4999￥84.6466≥5000￥84.1679 -
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品类: 电子元器件分类描述: IGBT管/模块 IGW30N65L5 TO-247-364365-49￥28.782050-199￥27.5520200-499￥26.8632500-999￥26.69101000-2499￥26.51882500-4999￥26.32205000-7499￥26.1990≥7500￥26.0760 -
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品类: 二极管阵列描述: 肖特基整流器， 2× 20 A Schottky Rectifier, 2 x 20 A217420-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHG47N60EF-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 47A, TO247AC-369171-9￥42.626810-99￥40.1810100-249￥38.3641250-499￥38.0846500-999￥37.80511000-2499￥37.49062500-4999￥37.2111≥5000￥37.0364 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB35N65FL2WG 单晶体管, IGBT, 70 A, 1.7 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 引脚89141-9￥42.602410-99￥40.1580100-249￥38.3422250-499￥38.0628500-999￥37.78341000-2499￥37.46922500-4999￥37.1898≥5000￥37.0152 -
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品类: MOS管描述: MOSFET 90A 200V 0.025 Rds70561-9￥192.613510-49￥187.588850-99￥183.7365100-199￥182.3966200-499￥181.3917500-999￥180.05181000-1999￥179.2143≥2000￥178.3769 -
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品类: 肖特基二极管描述: 30A 至 240A，ON Semiconductor ### 标准 带 NSV-、SBR- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。 ### 二极管和整流器，ON Semiconductor381510-49￥1.255550-99￥1.1904100-299￥1.1439300-499￥1.1160500-999￥1.08811000-2499￥1.06022500-4999￥1.0184≥5000￥1.0091 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 INDUSTRY 1473605-49￥21.481250-199￥20.5632200-499￥20.0491500-999￥19.92061000-2499￥19.79212500-4999￥19.64525000-7499￥19.5534≥7500￥19.4616 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRGP4063PBF 单晶体管, IGBT, 96 A, 1.65 V, 330 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚32275-49￥17.503250-199￥16.7552200-499￥16.3363500-999￥16.23161000-2499￥16.12692500-4999￥16.00725000-7499￥15.9324≥7500￥15.8576 -
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品类: IGBT晶体管描述: International Rectifier AUIRGP4063D-E, N沟道 IGBT 晶体管, 96 A, Vce=600 V, 30kHz, 3针 TO-247AD封装87091-9￥49.361210-99￥46.5290100-249￥44.4251250-499￥44.1014500-999￥43.77771000-2499￥43.41362500-4999￥43.0899≥5000￥42.8876 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON AUIRGP4066D1-E 单晶体管, IGBT, N通道, 140 A, 1.7 V, 454 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚 新66801-9￥63.319010-99￥60.5660100-249￥60.0705250-499￥59.6850500-999￥59.07941000-2499￥58.80412500-4999￥58.4187≥5000￥58.0883 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 600V CO-PACKAUTO TRENCH IGBT12491-9￥67.194510-99￥64.2730100-249￥63.7471250-499￥63.3381500-999￥62.69541000-2499￥62.40322500-4999￥61.9942≥5000￥61.6437 -
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品类: IGBT晶体管描述: IXGX 系列 1200 Vce 240 A 40 ns t(on) A3-类 IGBT - PLUS24733841-9￥261.188010-49￥254.374450-99￥249.1506100-199￥247.3337200-499￥245.9710500-999￥244.15401000-1999￥243.0184≥2000￥241.8828 -
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品类: 二极管阵列描述: 肖特基整流器， 2× 20 A Schottky Rectifier, 2 x 20 A540820-49￥0.000050-99￥0.0000100-299￥0.0000300-499￥0.0000500-999￥0.00001000-4999￥0.00005000-9999￥0.0000≥10000￥0.0000 -
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品类: 双极性晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR TIP147G 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 125 W, -10 A, 500 hFE 新797410-99￥11.1840100-499￥10.6248500-999￥10.25201000-1999￥10.23342000-4999￥10.15885000-7499￥10.06567500-9999￥9.9910≥10000￥9.9538 -
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品类: MOS管描述: N沟道MOSFET N-Channel MOSFET40971-9￥116.610010-49￥113.568050-99￥111.2358100-199￥110.4246200-499￥109.8162500-999￥109.00501000-1999￥108.4980≥2000￥107.9910 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 500V 46A 3Pin(3+Tab) T-MAX81071-9￥137.597510-49￥134.008050-99￥131.2561100-199￥130.2989200-499￥129.5810500-999￥128.62381000-1999￥128.0255≥2000￥127.4273 -
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品类: MOS管描述: 功率MOS ，V是新一代高压N沟道增强 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement80231-9￥112.470010-99￥107.5800100-249￥106.6998250-499￥106.0152500-999￥104.93941000-2499￥104.45042500-4999￥103.7658≥5000￥103.1790 -
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品类: MOS管描述: 功率MOS 7 R FREDFET POWER MOS 7 R FREDFET79491-9￥99.061010-99￥94.7540100-249￥93.9787250-499￥93.3758500-999￥92.42821000-2499￥91.99752500-4999￥91.3945≥5000￥90.8777 -
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品类: MOS管描述: Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能16145-49￥13.033850-199￥12.4768200-499￥12.1649500-999￥12.08691000-2499￥12.00892500-4999￥11.91985000-7499￥11.8641≥7500￥11.8084 -
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品类: MOS管描述: Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能91395-24￥5.238025-49￥4.850050-99￥4.5784100-499￥4.4620500-2499￥4.38442500-4999￥4.28745000-9999￥4.2486≥10000￥4.1904 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 76 A, 600 V, 0.038 ohm, 10 V, 4 V75701-9￥71.392010-99￥68.2880100-249￥67.7293250-499￥67.2947500-999￥66.61181000-2499￥66.30142500-4999￥65.8669≥5000￥65.4944 -
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品类: 电子元器件分类描述: 场效应管(MOSFET) IRF200P223 TO-247AC60465-49￥12.717950-199￥12.1744200-499￥11.8700500-999￥11.79401000-2499￥11.71792500-4999￥11.63095000-7499￥11.5766≥7500￥11.5222
